A capacitive micromachined ultrasonic transducer 111A is provided with a silicon substrate 101, and an insulation film 102, a lower electrode 103, insulation films 104, 106, a cavity 105 that is constituted by a void formed in a portion of the insulation film 106, an upper electrode 107, insulation films 108, 114, and a protective film 109, which are formed on the silicon substrate 101. In addition, the insulation film 106 above the cavity 105, the upper electrode 107, the insulation film 108, and the insulation film 114 constitute part of a vibration film 110. The protective film 109 above the vibration film 110 is divided into a plurality of isolated patterns that are arranged in a regular manner spaced apart by gaps 115 having a constant interval.L'invention concerne un transducteur 111A capacitif ultrasonore micro-usiné pourvu d'un substrat 101 en silicium et d'un film 102 isolant, d'une électrode 103 inférieure, de films 104, 106 isolants, d'une cavité 105 qui est constituée par un vide formé dans une partie du film 106 isolant, d'une électrode 107 supérieure, de films 108, 114 isolants et d'un film 109 de protection, qui sont formés sur le substrat 101 en silicium. De plus, le film 106 isolant au-dessus de la cavité 105, l'électrode supérieure 107, le film 108 isolant et le film 114 isolant constituent une partie d'un film 110 de vibration. Le film 109 de protection au-dessus du film 110 de vibration est divisé en une pluralité de motifs isolés qui sont agencés de manière régulière, écartés par des espaces 115 présentant un intervalle constant.容量検出型超音波トランスデューサ１１１Ａは、シリコン基板１０１と、シリコン基板１０１上に形成された絶縁膜１０２、下部電極１０３、絶縁膜１０４、１０６、絶縁膜１０６の一部に形成された空隙によって構成された空洞部１０５、上部電極１０７、絶縁膜１０８、１１４および保護膜１０９を備えている。また、空洞部１０５の上部の絶縁膜１０６、上部電極１０７、絶縁膜１０８、および絶縁膜１１４は、振動膜１１０を構成しており、振動膜１１０の上部の保護膜１０９は、一定間隔の隙間１１５を空けて規則的に配列された複数の孤立パターンに分割されている。
