結晶質酸化物半導体薄膜、結晶質酸化物半導体薄膜の製造方法及び薄膜トランジスタ
- 专利权人:
- 出光興産株式会社
- 发明人:
- 井上 一吉,宇都野 太,霍間 勇輝,笘井 重和,江端 一晃
- 申请号：
- JP20170025807
- 公开号：
- JP6289693(B2)
- 申请日:
- 2017.02.15
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- Provided is a crystalline oxide semiconductor thin film characterized by containing indium oxide as a primary component and containing surface crystal particles having a single crystal orientation.
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
