スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜及びそれらの製造方法
- 专利权人:
- 出光興産株式会社
- 发明人:
- 但馬 望,江端 一晃
- 申请号：
- JP20140557400
- 公开号：
- JPWO2014112363(A1)
- 申请日:
- 2014.01.15
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- インジウム元素（Ｉｎ）、スズ元素（Ｓｎ）、亜鉛元素（Ｚｎ）及びマグネシウム元素（Ｍｇ）を含有する酸化物からなり、Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは０．１〜２０）で表されるホモロガス構造化合物、及びＺｎ２ＳｎＯ４で表されるスピネル構造化合物を含むスパッタリングターゲット。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
