酸化物半導体ターゲット、酸化物半導体膜及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ
- 专利权人:
- 日立金属株式会社
- 发明人:
- 内山 博幸,福島 英子
- 申请号：
- JP20150511306
- 公开号：
- JPWO2014168224(A1)
- 申请日:
- 2014.04.10
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 本発明は、亜鉛、錫、酸素、及び、酸化物焼結体の全質量に対する含有比が０．００５質量％〜０．２質量％であるアルミニウムを含み、前記酸化物焼結体の全質量に対する珪素の含有比が０．０３質量％未満である酸化物焼結体からなる酸化物半導体ターゲットを提供する。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
