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金属カルコゲニド薄膜電極、その生産方法及び使用
- 专利权人:
- テクニシェ ウニヴェルズィテート ベルリンＴＥＣＨＮＩＳＣＨＥ ＵＮＩＶＥＲＳＩＴＡＴ ＢＥＲＬＩＮ
- 发明人:
- ラブロウ， ミヒャエル,フィッシャー， アナ,ドリエス， マシアス,シェデル−ニードリグ， トーマス,ルーケ， マルセル−フィリップ
- 申请号：
- JP20160557189
- 公开号：
- JP2017503084(A)
- 申请日:
- 2014.12.04
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 本発明は、金属カルコゲニド薄膜電極を生産するための方法に関する。上記方法は、(a) 非水性溶媒中で金属又は金属酸化物とハロゲン元素とを接触させて、上記溶液中でハロゲン化金属化合物を生産するステップと、(b) ステップ(a)由来の上記溶液と接触している電気伝導性基板又は半導体基板に負電圧を印加するステップと、(c) ステップ(b)の間及び/又は後に、上記基板とカルコゲン元素とを接触させて、金属カルコゲニド層を前記基板上に形成するステップとを有する。また、本発明は、上記方法によって製造することができる金属カルコゲニド薄膜電極と、(光)電気化学的水分解の間、酸素を放出するアノードとしてのその使用に関する。【選択図】なし
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
