金属薄膜レジスタおよびプロセス
- 专利权人:
- 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社;テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド
- 发明人:
- アッバス アリ,エリック ビーチ
- 申请号：
- JP20160544067
- 公开号：
- JP2017502522(A)
- 申请日:
- 2014.12.31
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 説明される実施例において、集積回路（１００）が、上に被さるエッチング停止層（２０２）を有する金属薄膜レジスタ（１１２）を備えて形成される。例示的なプロセスにおいて、金属薄膜レジスタ（１１２）は、１つのリソグラフィ工程を追加することで集積回路（１００）に形成される。【選択図】図２
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
