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ハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法、ハーフトーン位相シフトマスクブランク、ハーフトーン位相シフトマスク及びフォトマスクブランク用薄膜形成装置
- 专利权人:
- 信越化学工業株式会社
- 发明人:
- 稲月 判臣
- 申请号：
- JP20160162620
- 公开号：
- JP2018031840(A)
- 申请日:
- 2016.08.23
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 【解決手段】ハーフトーン位相シフト膜を、希ガス及び窒素含有ガスを含むスパッタガスと、２つ以上のケイ素ターゲットを含む複数のターゲットとを用い、２つ以上のケイ素ターゲットに、互いに異なる２以上の電力値で電力を印加して、反応性スパッタリングにより、透明基板の被スパッタ面を水平方向に沿って自転させながら成膜するハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法。【効果】耐薬品性に優れた、ケイ素と窒素とを含有するハーフトーン位相シフト膜において、膜面内の光学特性の均一性が良く、また、ハーフトーン位相シフト膜からハーフトーン位相シフト膜パターンを形成したときに得られるハーフトーン位相シフト膜パターンの断面形状の垂直性が良いハーフトーン位相シフト膜を形成することができる。【選択図】図４
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
