您的位置：
首页
>
农业专利
>
详情页
相変化薄膜気相成長方法及び相変化薄膜気相成長装置
- 专利权人:
- 株式会社日立製作所
- 发明人:
- 藤崎 芳久,笹子 佳孝,小林 孝
- 申请号：
- JP20160509840
- 公开号：
- JPWO2015145746(A1)
- 申请日:
- 2014.03.28
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 3次元立体の超高集積相変化メモリ実現のため必須となるナノメーターレベルで平坦でカバレッジの良い相変化薄膜を形成するために、相変化薄膜を低温で完全アモルファス状態のまま形成する相変化薄膜気相成長装置及び相変化薄膜気相成長方法を提供する。低温成膜を実現するために、アンモニアを分解して得られる窒素ラジカルをアンモニアクラッカーを気相成長装置のリアクターに接続させた構造を有し、基板表面での有機金属の低温分解を実現した。この装置を用い、Ge原料にアミン系錯体を用い135℃の低温で表面がナノメーターオーダーで平坦な完全アモルファス膜を実現する事が可能である。また3次元立体構造へカバレッジ良く低温で成膜することも可能である。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
