DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGES À SEMI-CONDUCTEURS, SYSTÈME DE CAPTURE D'IMAGES À SEMI-CONDUCTEURS, ET PROCÉDÉ DE COMMANDE DE DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGES À SEMI-CONDUCTEURS
This mode of embodiment of the present invention relates to a radiation image capturing system which is provided with a structure for enabling a reduction in linear noise that is manifested in an image after integration, and which includes a solid-state image capturing device. The solid-state image capturing device includes: L imaging pixel regions arranged in a direction intersecting a direction of movement of a relative position of the solid-state image capturing device； and L A/D converting units provided corresponding to the L imaging pixel regions. Each imaging pixel region includes pixels disposed two-dimensionally to form a matrix having M rows and N columns. One or more of the L A/D conversion units executes a dummy A/D conversion one or more times after A/D conversion of an electrical signal from an m-th row pixel and before A/D conversion of an electrical signal from an (m+1)-th row pixel.Ce mode de réalisation de la présente invention concerne un système de capture d'images radiologiques qui est pourvu d'une structure permettant une réduction du bruit linéaire qui se manifeste dans une image après intégration, et qui comprend un dispositif de capture d'images à semi-conducteurs. Le dispositif de capture d'images à semi-conducteurs comprend : L régions de pixels d'imagerie disposées dans une direction coupant une direction de déplacement d'une position relative du dispositif de capture d'images à semi-conducteurs ； et L unités de conversion A/N prévues correspondant aux L régions de pixels d'imagerie. Chaque région de pixels d'imagerie comprend des pixels disposés dans un plan pour former une matrice ayant M rangées et N colonnes. Une ou plusieurs des unités de conversion A/N exécute(nt) une conversion A/N fictive une ou plusieurs fois après conversion A/N d'un signal électrique provenant d'un pixel de la m-ième rangée et avant la conversion A/N d'un signal électrique provenant d'un pixel de la (m+1)-ième rangée.本実施形態は、積算後の画像に現れる線状のノイズの低減を可能にするための構造を備えた、固体
