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一种1.3万伏以上超高压、快恢复玻璃封装二极管的制作方法
- 专利权人:
- 西安卫光科技有限公司
- 发明人:
- 王嘉蓉
- 申请号：
- CN201410519788.7
- 公开号：
- CN104377129B
- 申请日:
- 2014.09.29
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 蔡和平
- 摘要：
- 本发明公开了一种1.3万伏以上超高压、快恢复玻璃封装二极管的制作方法，包括：N型半导体硅材料作为半导体衬底，在N型半导体衬底上掺杂N+型杂质，去除半导体衬底一面的N+型杂质层，在暴露出的N‑型半导体材料上再双杂质掺杂P+型杂质，再进行重金属铂掺杂，采用真空镀膜工艺制作硅片两面的金属化层，多芯片冶金键合成管芯组件，将硅片分割成所需尺寸的管芯，将分割后的管芯组件与引线组件通过高温烧结冶金键合，玻璃钝化封装，将调制好的玻璃粉糊涂覆在串联的12片管芯上，即完成玻璃封装二极管的制作。本发明产品具有电压高、正向小、反向恢复短、高温工作稳定好，长期工作可靠性高等特点，广泛应用于航空、航天、电子、兵器、船舶等领域。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
