金属膜および金属膜の成膜方法
- 专利权人:
- キヤノンアネルバ株式会社
- 发明人:
- 山中 和人,池田 真義,中川 隆史,深石 翼
- 申请号：
- JP20160520906
- 公开号：
- JPWO2015177948(A1)
- 申请日:
- 2015.01.09
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 本発明の一実施形態に係る成膜方法は、ＶＨＦ電源１０７からのＶＨＦ電力およびＤＣ電源１０８からの第１のＤＣ電圧をＴａターゲットＴに印加し、Ｔａターゲットをスパッタリングする第１の工程と、第１の工程においてＴａターゲットからスパッタリングされたＴａ原子を基板ステージ１０５上で第１の温度に保持された基板Ｓ上に堆積させて、６０μΩ・ｃｍ以下の比抵抗を有するＴａ膜を成膜する第２の工程と、を備える。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
