半導体装置の製造方法、半導体装置、及び感光性樹脂組成物
- 专利权人:
- 日立化成株式会社
- 发明人:
- 鳥羽 正也,蔵渕 和彦,名越 俊昌
- 申请号：
- JP20160201654
- 公开号：
- JP2017028316(A)
- 申请日:
- 2016.10.13
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】再配線形成された半導体装置を薄型化させながら効率よく製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】この半導体装置の製造方法では、封止工程において半導体素子３の封止及び第１の絶縁層４の形成を一括で行いながら、剥離工程において半導体素子３の反対面Ｓ２を容易に露出することができる。よって、従来の半導体装置の製造方法と比較して、再配線形成された半導体装置１００を薄型化させながら効率よく製造できる。【選択図】図１
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
