電界効果型トランジスタの製造方法
- 专利权人:
- 株式会社リコー
- 发明人:
- 松本 真二,植田 尚之,中村 有希,安部 由希子,曽根 雄司,早乙女 遼一,新江 定憲,草柳 嶺秀
- 申请号：
- JP20160141898
- 公开号：
- JP2018014374(A)
- 申请日:
- 2016.07.19
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】ＳＳ値を低減可能な電界効果型トランジスタの製造方法を提供すること。【解決手段】本電界効果型トランジスタの製造方法は、何れか一方が酸化物半導体層である第１の酸化物層と第２の酸化物層とが隣接した電界効果型トランジスタの製造方法であって、前記第１の酸化物層を形成する工程と、前記第１の酸化物層上に前記第２の酸化物層を形成する工程と、を有し、前記第２の酸化物層の形成温度が、前記第１の酸化物層の形成温度以下である。【選択図】図３
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