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電界効果型トランジスタ及びその製造方法、表示素子、表示装置、システム
- 专利权人:
- 株式会社リコー
- 发明人:
- 曽根 雄司,植田 尚之,中村 有希,安部 由希子,松本 真二,早乙女 遼一,新江 定憲,草柳 嶺秀
- 申请号：
- JP20160141878
- 公开号：
- JP2018014373(A)
- 申请日:
- 2016.07.19
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】ガラス基板上に、Ｔｉ、Ｔｉ合金、又はＴｉ若しくはＴｉ合金を含む積層体、の何れかからなる金属膜をウェットエッチングしてソース電極及びドレイン電極を形成する工程を含む電界効果型トランジスタの製造方法において、ソース電極及びドレイン電極上に形成される半導体層に亀裂や断線が生じ難くすること。【解決手段】本電界効果型トランジスタの製造方法は、ガラス基板を有する電界効果型トランジスタの製造方法であって、ガラス基板上に、Ｔｉ、Ｔｉ合金、又はＴｉ若しくはＴｉ合金を含む積層体、の何れかからなる金属膜を成膜する工程と、ウェットエッチングにより、前記金属膜からソース電極及びドレイン電極を形成すると共に、前記ソース電極及び前記ドレイン電極が形成された領域以外の前記ガラス基板に溝を形成する工
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
