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電界効果型トランジスタ、表示素子、表示装置、システム、及び電界効果型トランジスタの製造方法
- 专利权人:
- 株式会社リコー
- 发明人:
- 新江 定憲,植田 尚之,中村 有希,安部 由希子,松本 真二,曽根 雄司,早乙女 遼一,草柳 嶺秀
- 申请号：
- JP20160201791
- 公开号：
- JP2017098536(A)
- 申请日:
- 2016.10.13
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】半導体層や基板へのダメージを抑制し、薄膜トランジスタの特性や均一性の低下を防止する。【解決手段】電界効果型トランジスタ（１０Ａ〜１０Ｃ）は、ゲート電極１２と、ゲート電極への電圧の印加に応じて電流を取り出すためのソース電極２４及びドレイン電極２５と、ソース電極とドレイン電極に接して配置され、ソース電極とドレイン電極の間にチャネルを形成する半導体層１９と、半導体層とゲート電極の間に位置するゲート絶縁膜１３としての第１絶縁層と、半導体層の表面の少なくとも一部を覆う第２絶縁層１７と、を有する。第２絶縁層は、ケイ素とアルカリ土類金属とを含有する金属酸化物を含有する。【選択図】図１
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
