腐食を低減するための化学機械研磨スラリー及びその使用方法
- 专利权人:
- バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー
- 发明人:
- ブレイク ジェイ．リウ,クリシュナ ピー．ムレッラ,マルコム グリーフ,シャオボー シ,ドンヤネシュ チャンドラカント タンボリ,マーク レオナルド オニール
- 申请号：
- JP20170207262
- 公开号：
- JP2018016812(A)
- 申请日:
- 2017.10.26
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】半導体ウエハ上のタングステン含有膜の化学機械平坦化（ＣＭＰ）のためのスラリーならびに関連方法及び装置を提供する。【解決手段】このスラリーは研磨粒子、活性剤含有粒子、過酸素酸化剤、ｐＨ調節剤を含み、残部が水である。スラリーはｐＨが４〜１０の範囲にあり、好ましくは５〜９にあり、より好ましくは６〜８にある。【選択図】なし
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
