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반도체 기판을 화학 기계적 연마하는 방법
专利权人:
ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人:
TSAI WEI WEN,LEE CHENG PING,WANG JIUN FANG
申请号:
KR20187022946
公开号:
KR20180122326(A)
申请日:
2016.03.04
申请国别(地区):
韩国
年份:
2018
代理人:
摘要:
기재를 연마하는 방법은, 티타늄 질화물 및 티타늄을 함유하는 기재를 제공하는 단계; 물, 산화제, 선형 폴리알킬렌이민 폴리머, 양성 표면 전하를 갖는 콜로이드 실리카 연삭재, 카복실산, 제이철 이온의 공급원 및 선택적인 pH 조정제를 함유하는 화학 기계적 연마 조성물을 제공하는 단계; 연마 표면을 갖는 화학 기계적 연마 패드를 제공하는 단계; 상기 연마 패드와 상기 기재 사이의 계면에서 동적 접촉을 생성하는 단계; 상기 연마 패드와 상기 기재 사이의 계면에 또는 그 근처에서 상기 연마 표면 상으로 상기 연마 조성물을 분배하는 단계; 및 상기 티타늄 질화물의 적어도 일부 및 상기 티타늄의 적어도 일부를 연마하여 제거하는 단계를 포함한다. 이 연마 방법은 티타늄과 티타늄 질화물의 높은 제거율을 지닌다.
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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