DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC;ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人:
BAINIAN QIAN,FENGJI YEH,TE CHUN WANG,SHENG HUAN TSENG,KEVIN WEN HUAN TUNG,MARTY W. DEGROOT
申请号：
KR20180034150
公开号：
KR20180111553(A)
申请日:
2018.03.23
申请国别(地区):
韩国
年份:
2018
代理人:
摘要：
본 발명은 반도체 웨이퍼 내의 구리 또는 텅스텐 함유 금속 표면과 같은 금속 표면을 CMP 연마하는 방법을 제공하며, 상기 방법은, 이소시아네이트 말단 우레탄 프리폴리머와, 수 평균 분자량이 6000 내지 15,000이고 분자당 평균 5 내지 7개의 하이드록실기를 갖는 폴리올 경화제 및 다작용성 방향족 아민 경화제를 포함하는 경화제 성분의 반응 생성물인 연마 층에 상부 연마 표면을 갖는 CMP 연마 패드로 기판을 CMP 연마하는 단계를 포함하고, 여기서, 상기 연마 층은, 비충전되는 경우, 실온에서 탈이온(DI) 수에 1주 동안 침지 후 4 내지 8 중량%의 물 흡수율을 갖게 된다. 상기 방법은 낮은 결함 및 최소화된 디싱(dishing) 정도를 갖는 동일 평면 상의 금속 및 유전체 또는 산화물 층 표면을 형성한다.
