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含有SiNx插入层的极性c面GaN基的半导体器件的制备方法
- 专利权人:
- 西安电子科技大学
- 发明人:
- 张进成,曹荣涛,许晟瑞,郝跃,温慧娟,聂哲颢,彭茗诗,史阳楠
- 申请号：
- CN201310237736.6
- 公开号：
- CN103325677A
- 申请日:
- 2013.06.14
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2013
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了含有SiNx插入层的极性c面GaN基的半导体器件的制备方法，其步骤是：（1）将c面蓝宝石衬底置于MOCVD反应室中，通入氢气与氨气的混合气体，对衬底进行热处理；（2）在衬底上生长厚度为10-30nm，温度为580-620℃的低温AlN成核层；（3）在低温成核层上生长厚度为150-180nm，温度为950-1000℃的高温AlN成核层；（4）在AlN成核层之上生长厚度为1000-2000nm，镓源流量为30-300μmol/min，氨气流量为1000-10000sccm的c面GaN缓冲层；（5）在所述的c面GaN缓冲层之上用PECVD在200-250℃淀积3-9s的SiNx插入层；（6）在所述SiNx插入层之上生长厚度为4000-6000nm，镓源流量为100-250μmol/min，氨气流量为3000-5000sccm的c面GaN外延层。本发明的c面GaN薄膜具有低缺陷的优点，用于制作极性c面GaN发光二极管。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
