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航天领域使用的纳米半导体材料的制备方法
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专利权人:
程桂平
发明人:
程桂平
申请号:
CN201711063110.2
公开号:
CN107601442A
申请日:
2017.11.02
申请国别(地区):
中国
年份:
2018
代理人:
摘要:
本发明提供了一种半导体材料的制备方法,本发明的半导体材料能应用于航空领域,航天领域,高铁,新能源,汽车领域等多种领域。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/
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