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p-n型纳米CuO/α-Fe2O3复合半导体材料的制备及其作为气体敏感材料的应用
- 专利权人:
- 河南理工大学
- 发明人:
- 曹建亮,王燕,孙广,李彦伟,付乌有,孟哈日巴拉,张战营
- 申请号：
- CN201310176025.2
- 公开号：
- CN103257158A
- 申请日:
- 2013.04.26
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2013
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明涉及一种p-n型纳米CuO/α-Fe2O3复合半导体材料的制备方法，并将其应用于气体传感器领域。采用化学沉淀法制备出纯态α-Fe2O3，再采用沉积-沉淀法制备出纳米CuO/α-Fe2O3复合半导体材料。本发明的CuO/α-Fe2O3复合半导体气敏材料制备技术简单，设备要求不高，成本低廉，所制备的气敏材料随着CuO含量的增大，Cu原子逐渐进入到α-Fe2O3晶相中；球形颗粒的粒径大小为10～20nm。所制备材料可实现在室温下对硫化氢气体的有效检测，在50℃和100℃下均对一氧化碳气体快速响应，具有较大的应用前景。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
