复合纳米半导体Cl₂敏感材料In₂O₃/Nb₂O₅/Pt的制备方法

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专利权人:

哈尔滨理工大学;哈尔滨源创微纳科技开发有限公司

发明人:

施云波,赵文杰,周真,修德斌,冯侨华,何梦资

申请号：

CN201010032466.1

公开号：

CN101769888B

申请日:

2010.01.14

申请国别(地区):

中国

年份:

2012

代理人:

荣玲

摘要：

复合纳米半导体Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的制备方法，它涉及一种Cl2敏感材料的合成方法。本发明解决了现有方法制作得到的敏感材料敏感性差，使得Cl2传感器普遍存在着功耗高，体积大，只能进行低浓度检测的问题。方法：一、原料混合得到共沉积混合物；二、离心、抽滤、干燥；三、制作In2O3/Nb2O5纳米粉体；四、制作Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt。本发明得到复合纳米半导体材料In2O3/Nb2O5/Pt对Cl2敏感性好，使用本发明制备的Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的Cl2传感器能检测Cl2的量程为0～500ppm，且功耗低，体积小。

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/