一种Sb/Si异质结构半导体纳米晶薄膜及其制备方法与应用
- 专利权人:
- 上海师范大学
- 发明人:
- 余锡宾,吴圣垚,杨海,吴刚
- 申请号：
- CN201410837859.8
- 公开号：
- CN104600102B
- 申请日:
- 2014.12.24
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 周云
- 摘要：
- 本发明公开了一种Sb/Si异质结构半导体纳米晶薄膜及其制备方法与应用，其方法是在晶硅片上，生长一层10nm‑100nm厚的非致密的纳米晶薄膜，经热处理纳米晶薄膜与电池片光照面结合牢固，形成异质结构，这种Sb/Si异质结容易在界面形成n型活化层，具有独有的物理效应，可应用于成品及半成品硅基太阳能电池片的增效处理，可以明显提高晶硅电池的光电转换效率。本发明飞方法工艺简单、成本低廉、节能环保、快速高效，适合工业化生产。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
