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タンタル酸リチウム単結晶の育成方法
- 专利权人:
- 住友金属鉱山株式会社
- 发明人:
- 杉山 正史
- 申请号：
- JP20160134877
- 公开号：
- JP2018002568(A)
- 申请日:
- 2016.07.07
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】結晶直径が４インチ以上の大型結晶育成時に発生し易いクラックを抑制してその生産性を改善したタンタル酸リチウム(ＬＴ)単結晶の育成方法を提供する。【解決手段】坩堝と坩堝の上端に設置されたドーナツ板形状の貴金属製リフレクター９を備え、高周波加熱により融解された坩堝内原料融液に種結晶を接触させかつ種結晶を回転させつつ上方に引き上げることで結晶直径が４インチ以上のＬＴ結晶を育成する方法であって、坩堝外径よりリフレクター外径を大きく設定してリフレクターの外周部分が坩堝外周縁から外方へはみ出た突出部を形成しかつ突出部外周縁に複数の切り込み90を設けたことを特徴とする。上記切り込み90を設けたことで高周波誘導加熱の特徴の一つであるエッジ効果による「鋭角部」での加熱の集中が減少し、リフレクタ
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
