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酸化物単結晶育成用坩堝および酸化物単結晶育成方法
专利权人:
住友金属鉱山株式会社
发明人:
岡野 勝彦
申请号:
JP20150190897
公开号:
JP2017065952(A)
申请日:
2015.09.29
申请国别(地区):
日本
年份:
2017
代理人:
摘要:
【課題】サファイアなど酸化物単結晶の原料結晶を坩堝中で融解後、シーディングの条件出し作業を容易としうる酸化物単結晶育成用坩堝及び酸化物単結晶育成方法の提供。【解決手段】坩堝1底部に種結晶を収容し、その上に原料結晶を充填して、一方向凝固法により酸化物単結晶を育成するための酸化物単結晶育成用坩堝1であり、種結晶の収容エリアは、種結晶の上端が坩堝1底から坩堝深さの10〜20%の位置にあり、該収容エリアの坩堝1外周部に溝10とフィン11による放熱促進部が設けられ、かつ該放熱促進部の表面積が、溝10とフィン11がない場合の1.2倍以上である酸化物単結晶育成用坩堝1、及び、これを用いた一方向凝固法による酸化物単結晶の育成方法。【選択図】図2
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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