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酸化物単結晶の育成方法
- 专利权人:
- 住友金属鉱山株式会社
- 发明人:
- 西川 貴弘,寺島 彰
- 申请号：
- JP20160128529
- 公开号：
- JP2018002507(A)
- 申请日:
- 2016.06.29
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】育成炉内における引き上げ方向の温度勾配を小さく設定しても結晶肩部におけるリッジポリ（リッジの多結晶化）を抑制できる酸化物単結晶の育成方法を提供する。【解決手段】育成炉内に配置された坩堝４の原料融液に種結晶８を接触させ、当該種結晶を引き上げ軸９により回転させながら引上げて結晶肩部と結晶径φＬｍｍの結晶直胴部を育成するチョクラルスキー法による酸化物単結晶の育成方法であって、結晶径φ２０ｍｍから結晶径φ（Ｌ−２０）ｍｍまでの結晶肩部を育成する際、結晶肩部表面に１か所以上の段差部を形成すると共に、引き上げ軸に平行な基準垂線αに対し結晶肩部における段差部断面の傾斜角をθ1とし、基準垂線αに対し結晶肩部における非段差部断面の傾斜角をθ2（但し、θ2 ＞θ1）とした場合、段差部断面の傾斜角θ1
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
