タンタル酸リチウム単結晶の育成装置及び育成方法
- 专利权人:
- 株式会社福田結晶技術研究所
- 发明人:
- 福田 承生
- 申请号：
- JP20160534449
- 公开号：
- JPWO2016010040(A1)
- 申请日:
- 2015.07.14
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 安価であり、微小な気泡、サブグレインの発生が無く、より高寿命な単結晶育成装置及び育成方法を提供することを目的とする。坩堝４内の原料を抵抗加熱ヒーター６により加熱し、溶融した原料融液５に種結晶３を接触させた後に、種結晶３を引き上げて単結晶を育成させるタンタル酸リチウム単結晶の育成装置であって、 坩堝４は、タングステン、モリブデン又はタンタルからなる坩堝本体４ａの内表面に、ロジウム含有量が２５−４５％（質量％以下同じ）のＰｔ−Ｒｈ合金からなる被覆層４ｂを有している。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
