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タンタル酸リチウム単結晶の育成方法
- 专利权人:
- 住友金属鉱山株式会社
- 发明人:
- 杉山 正史
- 申请号：
- JP20150211532
- 公开号：
- JP2017081779(A)
- 申请日:
- 2015.10.28
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】結晶直径が４インチ以上の大型結晶育成時に発生し易いクラックを抑制してその生産性を改善したタンタル酸リチウム（ＬＴ）単結晶の育成方法を提供する。【解決手段】坩堝３と坩堝の上端に設置されたドーナツ板形状の貴金属製リフレクター９を備え、高周波加熱により融解された坩堝内の原料融液に種結晶８を接触させかつ種結晶を回転させつつ上方に引き上げることで結晶直径が４インチ以上のＬＴ結晶11を育成する方法において、育成するＬＴ単結晶の直径よりも、リフレクターの内径を３５ｍｍ以上５０ｍｍ以下大きく設定することを特徴とする。リフレクターの内径がＬＴ単結晶の直径よりも３５ｍｍ以上５０ｍｍ以下大きく設定され、高周波作用で高温になる貴金属製リフレクターによる直胴部側面の加熱が軽減されるためクラック
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
