気相化学曝露による低誘電率誘電体の損傷修復
- 专利权人:
- アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
- 发明人:
- チャン， ケルヴィン,デモス， アレクサンドロス ティー．
- 申请号：
- JP20170152916
- 公开号：
- JP2018011061(A)
- 申请日:
- 2017.08.08
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】半導体製造で使用される多孔性低誘電率誘電体層の誘電率を修復および低減する方法を提供する。【解決手段】損傷された多孔性低誘電率誘電体層を有する基板を処理チャンバ内に配置し、基板をビニルシラン含有化合物に曝露する。そして、任意選択により多孔性低誘電率誘電体層を、減圧、加熱した状態で、紫外線（ＵＶ）硬化プロセスに曝露する。または、シリル化剤に暴露した後、紫外線（ＵＶ）硬化プロセスに曝露する工程を含む。【選択図】図２
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
