ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC.
发明人:
TSAI WEI WEN,HO LIN CHEN,LEE CHENG PING,WANG JIUN FANG
申请号：
KR20187022944
公开号：
KR20180117608(A)
申请日:
2016.03.01
申请国别(地区):
韩国
年份:
2018
代理人:
摘要：
텅스텐 및 티탄을 포함하는 기판의 화학적 기계적 연마를 위한 방법이 제공되며, 이는 기판을 제공하는 단계; 초기 성분으로서 물; 산화제; 키토산; 프로판이산 및 2-하이드록시프로판이산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 디카복실산; 철 이온의 공급원; 표면 양전하를 갖는 콜로이달 실리카 연마재; 및 임의로 pH 조절제를 포함하는 연마 조성물을 제공하는 단계; 연마 표면을 갖는 화학적 기계적 연마 패드를 제공하는 단계; 연마 패드와 기판 사이의 계면에서 동적 접촉을 생성하는 단계; 및 연마 패드와 기판 사이의 계면에서 또는 그 부근에서 연마 표면 상에 연마 조성물을 분배하는 단계를 포함하며; 여기서 텅스텐 (W)의 일부 및 티탄 (Ti)의 일부가 티탄 (Ti)에 상대적인 텅스텐 (W)에 대한 제거 선택도로 기판으로부터 연마되어 제거된다.
