成膜方法および成膜システム、ならびに表面処理方法
- 专利权人:
- 東京エレクトロン株式会社
- 发明人:
- 金子 都,野呂 尚孝,高橋 毅,山崎 和良
- 申请号：
- JP20160154425
- 公开号：
- JP2018021244(A)
- 申请日:
- 2016.08.05
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】下地上にＣＶＤまたはＡＬＤにより金属含有膜を成膜する際に、下地に対して良好な連続性で成膜する。【解決手段】下地膜としてＳｉＯ２膜を有する被処理体の下地膜上にＡＬＤまたはＣＶＤによりＴｉ含有膜を成膜する成膜方法であって、ＳｉＯ２膜の表面に、ＯおよびＨを含有する流体を接触させて、ＳｉＯ２膜の表面へのシラノール基の生成を促進する表面処理を施す工程と、表面処理が施されたＳｉＯ２膜上に、シラノール基と反応するＴｉ原料ガスを用いてＡＬＤまたはＣＶＤによりＴｉ含有膜を成膜する工程とを有する。【選択図】 図１
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
