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薄膜の成膜方法
- 专利权人:
- 東京エレクトロン株式会社
- 发明人:
- 長谷部 一秀,高橋 和也,小森 克彦,古澤 純和,岡田 充弘,林 寛之,柿本 明修
- 申请号：
- JP20170009275
- 公开号：
- JP2017085164(A)
- 申请日:
- 2017.01.23
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】更なる薄膜化の要求に対しても対応可能であり、かつ、表面ラフネスの精度をも改善することが可能な、被処理面に孔又は溝を有する被処理体上に、薄膜を成膜する技術を提供する。【解決手段】被処理面上に、分子式中にシリコンを２つ以上含む高次アミノシラン系ガスを供給し、被処理面上にシリコンを吸着させて第１シード層を形成する工程と、第１シード層上に、アミノ基を含まない高次シラン系ガスを供給し、第１シード層上にシリコンを堆積させて第２シード層を形成する工程と、第２シード層上にアミノ基を含まないシラン系ガスを供給してシリコンを堆積させ、開口部を残しつつシリコン膜を形成する工程と、シリコン膜を、孔又は溝内に残しつつエッチングし、開口部を広げる工程と、シリコン膜上に、開口部を埋め込む薄膜を形
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
