에꼴 상트랄 드 릴;위니베르시떼 드 릴르;인끄레아 오 드 프랑스;위니베르시떼 폴리테크니끄 오-드-프랑스;상뜨르 나쇼날 드 라 러쉐르쉬 샹띠피끄(씨엔알에스)
发明人:
까피 알랭,당네빌 프랑수아,욀 비르지니,로예 크리스토쁘,수리코풀로스 일리아스
申请号：
KR1020207011697
公开号：
KR1020200105809A
申请日:
2018.10.24
申请国别(地区):
KR
年份:
2020
代理人:
摘要：
The present invention relates to an optical sensor (1) having at least one photosensitive cell, in particular an artificial retina, each cell comprising:-an integrating capacitor (C m ),-an operation dependent on the charging of the integrating capacitor (C m ) Readout circuit 10, at least one MOS transistor (3； 31； 32) operating below a threshold, wherein the drain-source current affects the charging of the integrating capacitor C m (3； 31； 32),-at least one photodiode (2； 21； 22) operating in a photovoltaic mode, such that the drain-source current of the MOS transistor depends on the photo power received by the photodiode. And the at least one photodiode (2； 21； 22) connected to the gate of.본 발명은 적어도 하나의 감광성 셀을 가진 광 센서 (1), 특히 인공 망막에 관한 것으로, 각각의 셀은, - 적분 커패시터 (Cm), - 동작이 적분 커패시터 (Cm) 의 충전에 의존하는 판독 회로 (10), - 임계 아래에서 동작하는 적어도 하나의 MOS 트랜지스터 (3； 31； 32) 로서, 드레인-소스 전류가 적분 커패시터 (Cm) 의 충전에 영향을 주는, 상기 적어도 하나의 MOS 트랜지스터 (3； 31； 32), - 광기전 모드에서 동작하는 적어도 하나의 포토다이오드 (2； 21； 22) 로서, MOS 트랜지스터의 드레인-소스 전류가 포토다이오드에 의해 수신된 광 전력에 의존하도록 이 트랜지스터의 게이트에 연결된, 상기 적어도 하나의 포토다이오드 (2； 21； 22) 를 포함한다.
