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半導体装置、およびそれを用いた超音波診断装置
专利权人:
HITACHI LTD
发明人:
KAWABATA SHIGEYUKI,川畑 重行,HARA KENJI,原 賢志
申请号:
JP2012063406
公开号:
JP2013197929A
申请日:
2012.03.21
申请国别(地区):
JP
年份:
2013
代理人:
摘要:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device, having good linearity and less power loss, of a bidirectional analog switch, and to provide an ultrasonic diagnostic apparatus of high detection precision.SOLUTION: A semiconductor device is for a bidirectional analog switch which incorporates a switch circuit for turning on/off bidirectionally, and a semiconductor circuit of the switch circuit. A drive circuit is connected to first and second power sources. The first power source voltage is equal to or higher than the maximum voltage of the signal applied to an input/output terminal of the switch circuit. The second power source voltage is equal to or less than the minimum voltage of the signal applied to the input/output terminal of the switch circuit. The drive circuit includes an N type MOSFET and a P type MOSFET in which a gate terminal connected in series between the first power source and the switch circuit is connected to a drain terminal. An ultrasonic diagnostic apparatus includes the semiconductor device.COPYRIGHT: (C)2013,JPO&INPIT【課題】良好な線形性を有し、かつ電力損失の少ない双方向アナログスイッチの半導体装置を提供する。また、検出精度の高い超音波診断装置を提供する。【解決手段】双方向にオンまたはオフ可能なスイッチ回路と、前記スイッチ回路の半導体回路を内臓した双方向アナログスイッチの半導体装置であって、前記駆動回路は第一および第二の電源に接続され、前記第一の電源電圧は、前記スイッチ回路の入出力端子に印加される信号の最大電圧以上であり、前記第二の電源電圧は、前記スイッチ回路の入出力端子に印加される信号の最小電圧以下であり、さらに前記駆動回路は前記第一の電源と前記スイッチ回路との間に、直列に接続されたゲート端子をドレイン端子に接続したN型MOSFETとP型MOSFETを備えている、また、超音波診断装置であって、前記半導体装置を備える。【選択図】図1
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/
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