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植入式神经信息双模检测微电极阵列芯片及制备方法
专利权人:
中国科学院电子学研究所
发明人:
宋轶琳,蔡新霞,林楠森,刘春秀,王利
申请号:
CN201110132546.9
公开号:
CN102783942B
申请日:
2011.05.20
申请国别(地区):
CN
年份:
2014
代理人:
摘要:
本发明公开了一种植入式神经信息双模检测微电极阵列芯片及制备方法,涉及传感器技术。该芯片包括硅针基底、呈阵列排布的多个微电极、对电极、电化学参比电极、电生理参比电极、引线、焊盘以及绝缘层。芯片采用微机电系统(MEMS)工艺加工制备。硅针前端部分可植入动物体内的神经组织,用于同时检测神经电生理信号和神经递质电化学信号,并兼有对神经组织施加电刺激的功能。本发明芯片功能集成化,适合急性或长期植入动物体内,开展神经信息的原位、同步双模检测及相关研究。
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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