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柔性微纳电极阵列植入式芯片及其制备方法
- 专利权人:
- 中国科学院电子学研究所
- 发明人:
- 肖桂花,蔡新霞,宋轶琳,徐声伟,张禹,李欣蓉,谢精玉,戴玉川,王昊,陆泽营
- 申请号：
- CN201911212110.3
- 公开号：
- CN110840431A
- 申请日:
- 2019.28.11
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2020
- 代理人:
- 摘要：
- 本公开提供了一种柔性微纳电极阵列植入式芯片及其制备方法,其中微纳电极阵列植入式芯片自下而上顺次包括:基底层、导电层和绝缘层;基底层为柔性材料,呈T型结构且前端呈尖状;导电层形成于基底层上,用于检测大脑多个核团区域的双模神经信号;导电层包括:双模检测电极阵列,形成于基底层的前端上,用于检测大脑多个核团区域的双模神经信号;双模检测电极阵列包括多个电生理检测位点和多个电化学敏感检测位点,分别沿前端纵向设置且分布于多个被测核团区域;绝缘层为柔性材料。本公开为长期探测神经信号提供了有效的检测手段和工具,在减少脑内炎症,探测多个脑区,同时应用两类神经信号进行功能定位发现病灶等方面具有重要的意义。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
