倒漏斗形硅基实心微针阵列的制备方法
- 专利权人:
- 安徽中鼎玉铉新材料科技有限公司
- 发明人:
- 朱五林,李宝庆,谢兰胜,吕庆贵
- 申请号：
- CN201810941632.6
- 公开号：
- CN109173039A
- 申请日:
- 2018.17.08
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2019
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提出一种倒漏斗形硅基实心微针阵列的制备方法,包括以下步骤:1)在单晶硅片上沉积正面氮化硅保护膜和反面氮化硅保护膜;2)在正面氮化硅保护膜上旋涂光刻胶进行光刻,光刻后的光刻胶形成阵列状的圆形遮挡胶膜;3)干法刻蚀掉暴露在遮挡胶膜外的正面氮化硅保护膜,露出单晶硅片;4)利用电感耦合等离子体刻蚀系统,采用深硅刻蚀Bosch工艺,对单晶硅片进行各向异性刻蚀,在单晶硅片上刻蚀出阵列状的圆柱体;5)去除单晶硅片上遮挡胶膜;6)利用酸性腐蚀液对单晶硅片进行各向同性湿法腐蚀,得到微针阵列。本发明可实现高深宽比、针尖直径与长度可控的倒漏斗形结构的实心微针阵列加工。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
