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一种单晶硅空心微针结构的制作方法
- 专利权人:
- 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 发明人:
- 俞骁,付思齐,张宝顺
- 申请号：
- CN201410253151.8
- 公开号：
- CN105217565A
- 申请日:
- 2014.06.09
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明公开了一种单晶硅异平面空心微针结构的制作方法，在一典型实施案例中，该方法可以包括：先在（100）型硅片正面用深硅干法刻蚀方法制作非贯通的孔状槽；用热氧化方法在硅片正反面以及孔内壁形成厚氧化层；在硅片正面和背面用涂胶光刻方法分别形成腐蚀窗口图形；用干法或湿法腐蚀方法将窗口内的氧化硅去除，露出衬底硅；去除光刻胶后用单晶硅各向异性腐蚀液对硅片进行腐蚀，在上表面形成微针结构，下表面形成槽形结构，并且先前刻蚀形成的深孔贯穿硅片正面微针结构，底部与硅片背面的槽形结构相连。本发明工艺简单，成本低廉，成品率高，适合大批量制造，且所获微针具有结构强度大、一致性好，载药剂量大等优点，在生物医学领域具有应用前景。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
