微电极阵列植入式芯片及其制备方法
- 专利权人:
- 中国科学院电子学研究所
- 发明人:
- 蔚文婧,蔡新霞,宋轶琳,刘春秀,蒋庭君,石文韬,林楠森,王蜜霞,徐声伟
- 申请号：
- CN201210487381.1
- 公开号：
- CN103829938B
- 申请日:
- 2012.11.26
- 申请国别(地区):
- CN
- 年份:
- 2016
- 代理人:
- 摘要：
- 本发明提供了一种微电极阵列植入式芯片及其制备方法。该微电极阵列植入式芯片包括：基底，其前端呈针状，向后逐渐增宽；测试电极层，形成于基底上，包括：至少一种的微电极阵列；绝缘层，形成于除微电极阵列所在区域之外的基底上；以及参比电极层，形成于绝缘层上，与测试电极层的微电极阵列相互错开，包括与至少一种微电极阵列相对应的参比电极。本发明中，参比电极与测试电极分布在不同平面上，从而节约了芯片面积，方便进行植入式操作。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
