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高感度容量性微細加工超音波トランスデューサ
专利权人:
ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
发明人:
ウェイ-チェン・ティアン,ウォレン・リー,ロウェル・スコット・スミス,イ-ミン・リー,チー・スン
申请号:
JP2005189199
公开号:
JP5113994B2
申请日:
2005.06.29
申请国别(地区):
JP
年份:
2013
代理人:
摘要:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-sensitivity and high-performance capacitive micromachined ultrasound transducer (cMUT).SOLUTION: A capacitive micromachined ultrasound transducer (cMUT) comprises a lower electrode. Furthermore, the cMUT includes a diaphragm disposed adjacent to the lower electrode such that a gap having a first gap width is formed between the diaphragm and the lower electrode. Additionally, the cMUT includes at least one element formed in the gap, where the at least one element is arranged to provide a second gap width between the diaphragm and the lower electrode.COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI【課題】高感度で高性能な容量性微細加工超音波トランスデューサ(cMUT)を提示する。【解決手段】容量性超微細加工超音波トランスデューサ(cMUT)は、下部電極を備える。さらにまた、cMUTは下部電極に隣接配置した隔膜で、隔膜と下部電極の間に第1の間隙幅を有する間隙が形成されるようにした隔膜を含む。加えて、cMUTは間隙内に形成した少なくとも一つの要素を含み、この少なくとも一つの要素が隔膜と下部電極の間に第2の間隙幅をもたらすよう配置してある。【選択図】図1
来源网站:
中国工程科技知识中心
来源网址:
http://www.ckcest.cn/home/

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