An imaging module 1 which is obtained by layering a plurality of semiconductor elements 10, 20 with a sealing layer 30 interposed therebetween, and transmits a signal via a signal cable 41 connected to the rear surface thereof, wherein: the first semiconductor element 10 has a semiconductor circuit unit 11 located in a center region S1 of a first principal surface 10SA and through wiring 12 located in an intermediate region S2, and also has a first electrode 13 connected to the through wiring 12 and located in the center region S1 of a second principal surface 10SB； the second semiconductor element 20 has a second electrode 23 located in the center region S1 of a third principal surface 20SA, and has an external connection terminal 29 which connects to the signal cable 41 and is located on the rear surface 20SB thereof； and the sealing layer 30 includes a first sealing layer 31 provided in the center region S1 and a second sealing layer 32 which is provided in an outer-peripheral region S3 surrounding the intermediate region S2, and exhibits a lower Young's modulus than does the first sealing layer 31.L'invention concerne un module d'imagerie 1 qui est obtenu par stratification d'une pluralité d'éléments semiconducteurs 10, 20 avec une couche d'étanchéité 30 interposée entre eux, et transmettant un signal par l'intermédiaire d'un câble de signal 41 connecté à la surface arrière de ladite pluralité d'éléments semiconducteurs : le premier élément semiconducteur 10 a une unité de circuit semiconducteur 11 située dans une région centrale S1 d'une première surface principale 10SA et à travers un câblage 12 situé dans une région intermédiaire S2, et a également une première électrode 13 connectée au câblage traversant 12 et située dans la région centrale S1 d'une seconde surface principale 10SB； le second élément semiconducteur 20 a une seconde électrode 23 située dans la région centrale S1 d'une troisième surface principale 20SA, et a une borne de connexion externe 29 qu
