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薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ基板、液晶表示装置及び薄膜トランジスタの製造方法
- 专利权人:
- 三菱電機株式会社
- 发明人:
- 平野 梨伊,佐竹 徹也,井上 和式
- 申请号：
- JP20150115441
- 公开号：
- JP2017005039(A)
- 申请日:
- 2015.06.08
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】ソース電極及びドレイン電極とチャネル領域との接触抵抗の低減化を少なくとも図った薄膜トランジスタを得る。【解決手段】画素ＴＦＴ３０のゲート絶縁膜３上において、平面視してゲート電極２と重なる領域の一部に酸化物半導体層４ａ及び４ｂが選択的に形成され、酸化物半導体層４ａ及び４ｂ上にソース電極１６及びドレイン電極１７が設けられる。したがって、ソース電極１６及びドレイン電極１７の下層の酸化物半導体層４ａ及び４ｂにゲート電極２からゲート電界が印加されるため、ソース電極１６及びドレイン電極１７と酸化物半導体層４ａ及び４ｂとが平面視して重なった領域に電流パスＩ５が形成される。すなわち、画素ＴＦＴ３０は酸化物半導体層４ａ及び４ｂのうち電流パスＩ５を形成する領域と酸化物半導体層５のチャネ
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
