薄膜の転写方法、薄膜トランジスタの製造方法、液晶表示装置の画素電極形成方法
- 专利权人:
- 株式会社ニコン
- 发明人:
- 中積 誠,西 康孝
- 申请号：
- JP20150500226
- 公开号：
- JPWO2014126041(A1)
- 申请日:
- 2014.02.10
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 薄膜の転写方法は、第一基板に形成された薄膜を第二基板に転写する方法であって、前記第一基板を液体に接触させて膨潤させることと、前記第二基板と前記薄膜とを、前記液体を介して接触させることと、前記液体を乾燥させ、前記薄膜を前記第二基板に付着させることと、を有する。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
