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薄膜トランジスタ基板、薄膜トランジスタ基板の製造方法、液晶表示装置
- 专利权人:
- 三菱電機株式会社
- 发明人:
- 平野 梨伊,中川 直紀,村上 隆昭,井上 和式,小田 耕治
- 申请号：
- JP20160568375
- 公开号：
- JPWO2016111267(A1)
- 申请日:
- 2016.01.05
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 本発明は液晶表示装置を構成する薄膜トランジスタ基板に関し、ゲート電極と、ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して、ゲート電極に対向する位置に設けられた半導体層と、半導体層を覆うチャネル保護膜と、チャネル保護膜上を覆う保護膜と、保護膜およびチャネル保護膜を貫通するように設けられた第１のコンタクトホールを介して半導体層に接するソース電極とドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、ドレイン電極に電気的に接続される第１の電極と、ゲート電極から延在するゲート配線と、ソース電極に電気的に接続されるソース配線と、を備え、ソース配線とソース電極および第１の電極とドレイン電極は、それぞれ保護膜を貫通する第２のコンタクトホールを介して電気的に接続され、第１の電極とソース配線は、第１の
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
