使用树脂粒子的半导体衬底上的有机膜的研磨方法和料浆
- 专利权人:
- 株式会社东芝
- 发明人:
- 高安淳,村上聪志
- 申请号：
- CN03160170.7
- 公开号：
- CN1497681A
- 申请日:
- 2003.09.29
- 申请国别(地区):
- 中国
- 年份:
- 2004
- 代理人:
- 李德山
- 摘要：
- 本发明公开一种有机膜的研磨方法，当使用包含树脂粒子的料浆在化学机械上研磨半导体衬底上的有机膜即保护层(13)时，在保护层(13)的基础层上形成比树脂粒子质地硬的ASG膜(12)，通过使用树脂粒子的粒径被设定为比槽(DT)的开口部尺寸(1d)大的料浆，就能防止侵蚀、到伤或堵塞。能在不损伤被研磨对象的有机膜的基础层的前提下对有机膜进行研磨，使表面平坦化的有机膜的研磨方法和适用于它的料浆。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
