Fotodiodenanordnungen und Verfahren zum Herstellen werden angegeben. Eine Fotodiodenanordnung schließt eine Siliciumscheibe mit einer ersten Oberfläche und einer gegenüberliegenden zweiten Oberfläche ein. Die Fotodiodenanordnung schließt auch eine Vielzahl wieder aufgefüllter leitender Wege durch die Siliciumscheibe ein, wobei die wieder aufgefüllten leitenden Wege eine Dotierungsart aufweisen, die sich von der Dotierungsart des Substrates unterscheidet und eine Grenzfläche zwischen den wieder aufgefüllten leitenden Wegen und dem Substrat Diodenübergänge bildet. Die Fotodiodenanordnung schließt weiter eine gemusterte dotierte Schicht auf der ersten Oberfläche ein, die die wieder aufgefüllten leitenden Wege überlappt, wobei die gemusterte dotierte Schicht eine Anordnung von Fotodioden definiert.Photodiode arrays and methods of fabrication are given. A photodiode array includes a silicon wafer having a first surface and an opposing second surface. The photodiode array also includes a plurality of refilled conductive paths through the silicon wafer, the refilled conductive paths having a doping type that is different than the doping type of the substrate and an interface between the refilled conductive paths and the substrate forms diode junctions. The photodiode array further includes a patterned doped layer on the first surface that overlaps the refilled conductive paths, the patterned doped layer defining an array of photodiodes.
