薄膜トランジスタの製造方法、表示装置および有機ＥＬディスプレイの製造方法

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专利权人:

エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド

发明人:

佐藤 治

申请号：

JP20120102320

公开号：

JP6276496(B2)

申请日:

2012.04.27

申请国别(地区):

日本

年份:

2018

代理人:

摘要：

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin-film transistor (TFT) having a high transparency, a method of manufacturing such thin-film transistor, and a display device using such thin-film transistor.SOLUTION: A thin-film transistor comprises: a thin-film transistor formation layer formed of silsesquioxane; and a thin-film transistor wiring formed on the thin-film transistor formation layer. In addition, a method of manufacturing the thin-film transistor includes the steps of: forming a sacrificial layer on a substrate; forming a thin-film transistor formation layer formed of silsesquioxane on the sacrificial layer; and forming a thin-film transistor wiring on the thin-film transistor formation layer.

来源网站：

中国工程科技知识中心

来源网址：

http://www.ckcest.cn/home/