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薄膜トランジスタデバイス、その製造方法、及び表示装置
- 专利权人:
- 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司ＢＯＥ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＧＲＯＵＰ ＣＯ．，ＬＴＤ．;チョンチン・ビーオーイー・オプトエレクトロニクス・テクノロジー・カンパニー・リミテッド
- 发明人:
- ウ・ワン,ハイジュン・チウ,フェイ・シャン,グオレイ・ワン
- 申请号：
- JP20160576021
- 公开号：
- JP2018503964(A)
- 申请日:
- 2015.08.14
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2018
- 代理人:
- 摘要：
- いろいろな実施例により、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）デバイス、該ＴＦＴデバイスの製造方法、及び該ＴＦＴデバイスを備える表示装置を提供する。エッチストップ層（ＥＳＬ）材料を基板にある活性層に形成する。ソース電極とドレイン電極を形成するために、電気導電層材料をＥＳＬ材料に形成する。電気導電層材料をパターニングして、ソース電極を貫通する第１のビアホールを備えるソース電極の第１部分を形成するとともに、ドレイン電極を貫通する第２のビアホールを備えるドレイン電極の第１部分を形成する。ＥＳＬ材料をパターニングして、ソース電極を貫通する第１のビアホールに連通される第１のＥＳＬビアホールと、ドレイン電極を貫通する第２のビアホールに連通される第２のＥＳＬビアホールを備えるエッチストップ層（ＥＳＬ
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
