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薄膜トランジスタ、表示装置及び薄膜トランジスタの製造方法
- 专利权人:
- ＮＬＴテクノロジー株式会社
- 发明人:
- 田中 淳
- 申请号：
- JP20160138874
- 公开号：
- JP2017085079(A)
- 申请日:
- 2016.07.13
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 【課題】低い寄生容量と高い信頼性とを両立した、酸化物半導体薄膜トランジスタ等を提供すること。【解決手段】薄膜トランジスタは、基板１と、チャネル領域２１、ソース領域２２及びドレイン領域２３を含む酸化物半導体層２と、ゲート絶縁膜３と、ゲート電極４とを有し、前記ゲート絶縁膜３は平面視で一つ以上の形状に設けられており、前記ゲート絶縁膜３のうち最小ゲート絶縁膜のチャネル長方向の長さは、前記ゲート電極４及び前記チャネル領域２１のチャネル長方向の幅よりも長く、前記ソース領２２域及び前記ドレイン領域２３の水素濃度は前記チャネル領域２１の水素濃度よりも高く、前記ソース領域２２側の前記最小ゲート絶縁膜の端から前記ソース領域２２と前記チャネル領域２１との境界までの距離と、前記ドレイン領域２３側の
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
- 来源网址：
- http://www.ckcest.cn/home/
