薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法及び有機ＥＬ表示装置
- 专利权人:
- 株式会社ＪＯＬＥＤ
- 发明人:
- 松本 光正
- 申请号：
- JP20160529053
- 公开号：
- JPWO2015194175(A1)
- 申请日:
- 2015.06.17
- 申请国别(地区):
- 日本
- 年份:
- 2017
- 代理人:
- 摘要：
- 薄膜トランジスタ（１）は、ゲート電極（３０）と、ソース電極（７０Ｓ）及びドレイン電極（７０Ｄ）と、チャネル層として用いられる酸化物半導体層（５０）と、ゲート電極（３０）と酸化物半導体層（５０）との間に配置されたゲート絶縁層（４０）とを備え、酸化物半導体層（５０）を構成する金属元素には少なくともインジウム（Ｉｎ）が含まれており、酸化物半導体層（５０）の内部領域であってゲート絶縁層（４０）と近接する領域にはフッ素（Ｆ）が含有されている。
- 来源网站：
- 中国工程科技知识中心
